前英特爾 (intel) 執行長季辛格 Pat Gelsinger 出任美國新創 xLight 執行董事長,該 […] 〈美政府入股前英特爾 CEO 掌舵的 xLight:目標撼動 ASML 光刻機霸權,計畫邀請台積電、美光參與投資〉這篇文章最早發佈於動區BlockTempo《動區動趨-最具影響力的區塊鏈新聞媒體》。前英特爾 (intel) 執行長季辛格 Pat Gelsinger 出任美國新創 xLight 執行董事長,該 […] 〈美政府入股前英特爾 CEO 掌舵的 xLight:目標撼動 ASML 光刻機霸權,計畫邀請台積電、美光參與投資〉這篇文章最早發佈於動區BlockTempo《動區動趨-最具影響力的區塊鏈新聞媒體》。

美政府入股前英特爾 CEO 掌舵的 xLight:目標撼動 ASML 光刻機霸權,計畫邀請台積電、美光參與投資

2026/06/25 11:06
閱讀時長 8 分鐘
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前英特爾 (intel) 執行長季辛格 Pat Gelsinger 出任美國新創 xLight 執行董事長,該公司正洽談由 Boardman Bay 與貝恩資本領投的 3.5 億美元新一輪融資;美國政府已透過 CHIPS 法案取得 xLight 直接股權。
(前情提要:臺積電「喊太貴」2029 前拒買 ASML 最新光刻機,背後盤算什麼?
(背景補充:川普:蘋果將找英特爾生產晶片!INTC 盤前漲 6.6%

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  • Gelsinger 為何在這裡
  • 自由電子雷射:xLight 的技術路徑與 ASML 現行做法的根本差異
  • 護膜、光阻,以及尚未解決的材料科學難題

英特爾 (intel) 董事會趕下臺不到一年,季辛格(Pat Gelsinger)就出現在另一家加州新創的董事長席位上,這家公司的任務是撼動全球晶片業最深的護城河:荷蘭 ASML 對極紫外光(EUV)微影機臺的完全壟斷。

且不尋常的是,美國聯邦政府這次直接入股。

2025 年 12 月,美國商務部簽署意向書,承諾透過 CHIPS 與科學法案對 xLight 投入至多 1.5 億美元,以取得公司直接持股。美商務部長在聲明中說:「長久以來,美國把先進微影的前沿讓給了別人。在川普總統領導下,那些日子結束了。」

這是川普政府新設 CHIPS 研發辦公室的第一筆股權交易。目前 xLight 正與 Boardman Bay Capital Management 與貝恩資本(Bain Capital)洽談,計劃再募 3.5 億美元,並邀請 ASML、台積電、英特爾、美光共同參與。

Gelsinger 為何在這裡

EUV 微影是製造最先進晶片的關鍵製程,簡單來說就是,在矽晶圓上用極短波長的紫外光「印出」肉眼根本看不見的細微電路,AI 伺服器裡的高階處理器就是這樣刻出來的。目前全球只有一家公司能生產這種機臺:荷蘭的 ASML。

Gelsinger 對半導體政策並不陌生。他在英特爾任職數十年,2022 年 CHIPS 法案得以透過,他是重要的推動者之一。2025 年 3 月,他以執行董事長身份正式加入 xLight;他所屬的創投 Playground Global,也在 2025 年 7 月領投了 xLight 的 4,000 萬美元 B 輪。

加上聯邦資金,xLight 迄今已累計募得約 2 億美元,另有至多 42 億美元的不具約束力專案融資承諾用於未來建廠。

自由電子雷射:xLight 的技術路徑與 ASML 現行做法的根本差異

ASML 現行的 EUV 光源叫做「雷射誘發電漿」,白話說就是,拿一道高功率雷射,每秒數萬次轟擊微小的熔融錫滴,錫滴被轟到電漿態後放出 EUV 光。這套方法有效,但結構複雜,最新一代機臺單價高達 3 至 4 億美元。

xLight 走的是完全不同的路:「自由電子雷射」。白話說就是,用一臺小型粒子加速器把電子加速到接近光速,再讓這些高速電子穿過一排交替排列的磁鐵,電子在磁場中蛇行擺動,放出強烈的 EUV 光。

不需要轟擊錫滴。xLight 宣稱,這種做法可以達到短至 2nm 的波長,相較之下,ASML 現行機臺用的是 13.5nm;波長越短,能印的電路就越細,每顆晶片能塞進的電晶體就越多。xLight 同時宣稱,這將大幅降低製造先進 AI 晶片的資本與營運成本。

不過值得注意的是:xLight 並不打算正面挑戰 ASML 的機臺業務,而是想把自己的光源當成「零件」賣進 ASML 的機臺,定位是供應商而非競爭者。ASML 執行長 Christophe Fouquet 已公開證實:「ASML 正與 xLight 合作進行技術驗證。」

xLight 正在紐約州的 Albany NanoTech 園區興建第一座原型廠,目標是在 2028 年讓第一具可運作光源上線。距今還有兩年以上。

護膜、光阻,以及尚未解決的材料科學難題

不過 2nm 波長聽起來雖是跳躍式突破,但距離量產驗證還很遠。半導體論壇 SemiWiki 上,有數十年晶片業經驗的 Fred Chen 直接點出核心矛盾:「更高的 EUV 功率肯定不相容於護膜,而且很可能也會變得不相容於光阻。」

護膜(pellicle)是一層貼在光罩上的超薄保護膜,白話說就是,防止灰塵落在光罩上搞壞每一片晶圓;沒有它,良率就會崩潰。光阻(resist)是塗在晶圓上的感光塗層,白話說就是,類似底片,EUV 光打到哪裡,哪裡就會發生化學反應,電路圖案就這樣轉印上去。如果功率過高,護膜會被燒穿,光阻的化學反應也可能失控。這兩個問題,目前沒有公開的解方。

xLight 的整個商業模式都建立在「2nm 波長可以做到高功率又保持材料相容」的前提上。這個前提,現在還只是宣稱,不是驗證過的事實。但美國政府用股權入場、Gelsinger 帶著人脈與政治資本加持、貝恩資本準備跟進,這些都是資本面的訊號。

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